深圳市豪金隆电子有限公司

三极管
　半导体电子器件，有两个PN结组成，可以对电流起放大作用，有3个引脚，晶体三极管分别为集电极（c)，基极（b)，发射极（e），电子三极管分别为屏极、栅极、阴极。有PNP和NPN型两种，以材料分有硅材料和锗材料两种。概念
　
　　半导体三极管也称双极型晶体管,晶体三极管,简称三极管,是一种电流控制电流的半导体器件.
　　作用:把微弱信号放大成辐值较大的电信号, 也用作无触点开关.工作原理
　晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用比较多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
　　对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极。
　　当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。
　　在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正确，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（控穴）很容易地截越过发射结构互相向反方各扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。
　　由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补纪念给，从而形成了基极电流Ibo根据电流连续性原理得：
　　Ie=Ib+Ic
　　这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：
　　β1=Ic/Ib
　　式中：β--称为直流放大倍数，
　　集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：
　　β= △Ic/△Ib
　　式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。
　　三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。三极管的分类:
　a.按材质分: 硅管、锗管
　　b.按结构分: NPN 、 PNP
　　c.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等.三极管的主要参数
　a. 特征频率fT:当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作.
　　b. 工作电压/电流:用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围.
　　c. hFE:电流放大倍数.
　　d. VCEO:集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压.
　　e. PCM:允许耗散功率.
　　f. 封装形式：指定该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在.判断基极和三极管的类型
　先假设三极管的某极为“基极”,将黑表笔接在假设基极上,再将红表笔依次接到其余两个电极上,若两次测得的电阻都大(约几K到几十K),或者都小(几百至几K),对换表笔重复上述测量,若测得两个阻值相反(都很小或都很大),则可确定假设的基极是正确的,否则另假设一极为“基极”,重复上述测试,以确定基极.
　　当基极确定后,将黑表笔接基极,红表笔笔接基它两极若测得电阻值都很少,则该三极管为NPN,反之为PNP.
　　判断集电极C和发射极E,以NPN为例:
　　把黑表笔接至假充的集电极C,红表笔接到假设的发射极E,并用手捏住B和C极,读出表头所示C,E电阻值,然后将红,黑表笔反接重测.若电阻比第二次小,说明原假设成立.
　　体三极管的结构和类型
　　晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的主要元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，
　　从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。
　　发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。
　　三极管的封装形式和管脚识别
　　常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，
三极管
　半导体电子器件，有两个PN结组成，可以对电流起放大作用，有3个引脚，晶体三极管分别为集电极（c)，基极（b)，发射极（e），电子三极管分别为屏极、栅极、阴极。有PNP和NPN型两种，以材料分有硅材料和锗材料两种。概念
　
　　半导体三极管也称双极型晶体管,晶体三极管,简称三极管,是一种电流控制电流的半导体器件.
　　作用:把微弱信号放大成辐值较大的电信号, 也用作无触点开关.工作原理
　晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用比较多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
　　对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极。
　　当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。
　　在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正确，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（控穴）很容易地截越过发射结构互相向反方各扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。
　　由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补纪念给，从而形成了基极电流Ibo根据电流连续性原理得：
　　Ie=Ib+Ic
　　这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：
　　β1=Ic/Ib
　　式中：β--称为直流放大倍数，
　　集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：
　　β= △Ic/△Ib
　　式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。
　　三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。三极管的分类:
　a.按材质分: 硅管、锗管
　　b.按结构分: NPN 、 PNP
　　c.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等.三极管的主要参数
　a. 特征频率fT:当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作.
　　b. 工作电压/电流:用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围.
　　c. hFE:电流放大倍数.
　　d. VCEO:集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压.
　　e. PCM:允许耗散功率.
　　f. 封装形式：指定该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在.判断基极和三极管的类型
　先假设三极管的某极为“基极”,将黑表笔接在假设基极上,再将红表笔依次接到其余两个电极上,若两次测得的电阻都大(约几K到几十K),或者都小(几百至几K),对换表笔重复上述测量,若测得两个阻值相反(都很小或都很大),则可确定假设的基极是正确的,否则另假设一极为“基极”,重复上述测试,以确定基极.
　　当基极确定后,将黑表笔接基极,红表笔笔接基它两极若测得电阻值都很少,则该三极管为NPN,反之为PNP.
　　判断集电极C和发射极E,以NPN为例:
　　把黑表笔接至假充的集电极C,红表笔接到假设的发射极E,并用手捏住B和C极,读出表头所示C,E电阻值,然后将红,黑表笔反接重测.若电阻比第二次小,说明原假设成立.
　　体三极管的结构和类型
　　晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的主要元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，
　　从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。
　　发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。
　　三极管的封装形式和管脚识别
　　常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，
深圳市豪金隆电子有限公司（HJL Electronics）成立于2007年，是半导体元器件应用创新与现代供应链综合服务平台。公司以半导体器件授权分销业务为主，辅以非授权分销业务来满足客户多样化需求。依托近二十年行业资源积累，为客户提供优质产品、技术支持、资金支持和一站式，成为连接产业上下游的重要纽带。


公司授权代理国内一线品牌银河微电（688689.SH），代理分销长晶科技、里阳半导体、华润微、富满电子、南京微盟、普冉半导体、全志科技、群芯微、昆泰芯微、风华高科、国巨电子等国产品牌。 公司确立“国产替代正当时，共振国芯创未来”的使命；秉持“客户服务至上，伙伴利益共享”的经营理念；努力参与建设元器件供应链生态圈，助力中国电子信息产业发展。